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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFH7110TRPBF
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFH7110TRPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFH7110TRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFH7110TRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 11A/58A 8PQFN
Description détaillée
Emballage
8-TQFN Exposed Pad
Fiche technique
IRFH7110PbF.pdf
État RoHS
En stock: 4500

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFH7110TRPBF
Infineon Technologies - IRFH7110TRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFH7110TRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-PQFN (5x6)  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.5mOhm @ 35A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.6W (Ta), 104W (Tc)  
Package / Boîte 8-TQFN Exposed Pad  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3240 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 87 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11A (Ta), 58A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFH7110TRPBF

Attributs du produit IRFH7110TRPBF IRFH7085TRPBF IRFH7194TRPBF IRFH7190ATRPBF
Modèle de produit IRFH7110TRPBF IRFH7085TRPBF IRFH7194TRPBF IRFH7190ATRPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Dissipation de puissance (max) 3.6W (Ta), 104W (Tc) 156W (Tc) 3.6W (Ta), 39W (Tc) -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.5mOhm @ 35A, 10V 3.2mOhm @ 75A, 10V 16.4mOhm @ 21A, 10V -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 6V, 10V 10V -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3240 pF @ 25 V 6460 pF @ 25 V 733 pF @ 50 V -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11A (Ta), 58A (Tc) 100A (Tc) 11A (Ta), 35A (Tc) -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 87 nC @ 10 V 165 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V -
Fonction FET - - - -
Package / Boîte 8-TQFN Exposed Pad 8-PowerVDFN 8-PowerTDFN -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA 3.7V @ 150µA 3.6V @ 50µA -
Package composant fournisseur 8-PQFN (5x6) PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) -
Séries HEXFET® StrongIRFET™ FASTIRFET™, HEXFET® *
Tension drain-source (Vdss) 100 V 60 V 100 V -

Fiche technique IRFH7110TRPBF PDF

Téléchargez IRFH7110TRPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRFH7110TRPBF - Infineon Technologies.

Emballage PCN
Package Drawing Update 19/Aug/2015.pdf Mult Dev Label Chgs 18/Feb/2020.pdf
Conception / spécification PCN
Mult Dev No Format/Barcode Label 15/Jan/2019.pdf
Assemblage / origine PCN
Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Devices EOL 08/May/2019.pdf
Feuilles de données
IRFH7110PbF.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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