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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFH7085TRPBF
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFH7085TRPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFH7085TRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFH7085TRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 100A PQFN
Description détaillée
Emballage
8-PowerVDFN
Fiche technique
IRFH7085TRPBF.pdf
État RoHS
En stock: 41450

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFH7085TRPBF
Infineon Technologies - IRFH7085TRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFH7085TRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 3.7V @ 150µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PQFN (5x6)  
Séries StrongIRFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2mOhm @ 75A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 156W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerVDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6460 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 165 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFH7085  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFH7085TRPBF

Attributs du produit IRFH7085TRPBF IRFH7188TRPBF IRFH7004TR2PBF IRFH7084TRPBF
Modèle de produit IRFH7085TRPBF IRFH7188TRPBF IRFH7004TR2PBF IRFH7084TRPBF
Fabricant Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 8-PowerVDFN 8-PowerTDFN 8-VQFN Exposed Pad 8-PowerTDFN
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2mOhm @ 75A, 10V 6mOhm @ 50A, 10V 1.4mOhm @ 100A, 10V 1.25mOhm @ 100A, 10V
Fonction FET - - - -
Numéro de produit de base IRFH7085 - - IRFH7084
Tension drain-source (Vdss) 60 V 100 V 40 V 40 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6460 pF @ 25 V 2116 pF @ 50 V 6419 pF @ 25 V 6560 pF @ 25 V
Package composant fournisseur PQFN (5x6) PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6)
Vgs (Max) ±20V ±20V - ±20V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100A (Tc) 18A (Ta), 105A (Tc) 100A (Tc) 100A (Tc)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Séries StrongIRFET™ FASTIRFET™, HEXFET® - HEXFET®
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V 10V - 10V
Dissipation de puissance (max) 156W (Tc) 3.8W (Ta), 132W (Tc) - 156W (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 165 nC @ 10 V 50 nC @ 10 V 194 nC @ 10 V 190 nC @ 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.7V @ 150µA 3.9V @ 150µA 3.9V @ 150µA 3.9V @ 150µA

Fiche technique IRFH7085TRPBF PDF

Téléchargez IRFH7085TRPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRFH7085TRPBF - Infineon Technologies.

Emballage PCN
Package Drawing Update 19/Aug/2015.pdf Packing Material Update 16/Sep/2016.pdf
Conception / spécification PCN
Mult Dev Label Chgs Aug/2020.pdf Mult Dev Lot Chgs 25/May/2021.pdf
Informations environnementales
PQFN 5x6 RoHS Compliance.pdf
Assemblage / origine PCN
IRFHyyy Supplier Chg 26/Feb/2018.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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