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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFH7110TR2PBF
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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IRFH7110TR2PBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFH7110TR2PBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFH7110TR2PBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N CH 100V 11A PQFN5X6
Emballage
8-TQFN Exposed Pad
Fiche technique
IRFH7110PbF.pdf
Notre certification
En stock: 4700

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Quantité
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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques IRFH7110TR2PBF
Infineon Technologies - IRFH7110TR2PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFH7110TR2PBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-PQFN (5x6)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.5mOhm @ 35A, 10V  
Package / Boîte 8-TQFN Exposed Pad  
Emballer Cut Tape (CT)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3240 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 87 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11A (Ta), 58A (Tc)  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFH7110TR2PBF

Attributs du produit IRFH7110TR2PBF IRFH7185TRPBF IRFH7182TRPBF IRFH7107TR2PBF
Modèle de produit IRFH7110TR2PBF IRFH7185TRPBF IRFH7182TRPBF IRFH7107TR2PBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Package composant fournisseur 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 87 nC @ 10 V 54 nC @ 10 V 74 nC @ 10 V 72 nC @ 10 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11A (Ta), 58A (Tc) 19A (Ta) 23A (Ta), 157A (Tc) 14A (Ta), 75A (Tc)
Séries - FASTIRFET™, HEXFET® FASTIRFET™, HEXFET® -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.5mOhm @ 35A, 10V 5.2mOhm @ 50A, 10V 3.9mOhm @ 50A, 10V 8.5mOhm @ 45A, 10V
Fonction FET - - - -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package / Boîte 8-TQFN Exposed Pad 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA 3.6V @ 150µA 3.6V @ 250µA 4V @ 100µA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3240 pF @ 25 V 2320 pF @ 50 V 3120 pF @ 50 V 3110 pF @ 25 V
Tension drain-source (Vdss) 100 V 100 V 100 V 75 V
Emballer Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

Fiche technique IRFH7110TR2PBF PDF

Téléchargez IRFH7110TR2PBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRFH7110TR2PBF - Infineon Technologies.

Assemblage / origine PCN
Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 13/Nov/2013.pdf
Feuilles de données
IRFH7110PbF.pdf

Mode de transport

Délai de livraison

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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