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IRF7706TRPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF7706TRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF7706TRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 30V 7A 8TSSOP
Emballage
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Fiche technique
IRF7706PBF.pdf
Notre certification
En stock: 3700

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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques IRF7706TRPBF
Infineon Technologies - IRF7706TRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF7706TRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-TSSOP  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 7A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 1.51W (Ta)  
Package / Boîte 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2211 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7A (Ta)  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF7706TRPBF

Attributs du produit IRF7706TRPBF IRF7705TR IRF7704 IRF7706TR
Modèle de produit IRF7706TRPBF IRF7705TR IRF7704 IRF7706TR
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 7A, 10V 18mOhm @ 8A, 10V 46mOhm @ 4.6A, 10V 22mOhm @ 7A, 10V
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 40 V 30 V
Package / Boîte 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Fonction FET - - - -
Package composant fournisseur 8-TSSOP 8-TSSOP 8-TSSOP 8-TSSOP
Dissipation de puissance (max) 1.51W (Ta) 1.5W (Tc) 1.5W (Ta) 1.51W (Ta)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2211 pF @ 25 V 2774 pF @ 25 V 3150 pF @ 25 V 2211 pF @ 25 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7A (Ta) 8A (Tc) 4.6A (Ta) 7A (Ta)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 10 V 88 nC @ 10 V 38 nC @ 4.5 V 72 nC @ 10 V

Fiche technique IRF7706TRPBF PDF

Téléchargez IRF7706TRPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF7706TRPBF - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
IR Part Numbering System.pdf
PCN Obsolescence / EOL
IRF77xx,IRF8852TRPBF 17/Jan/2013.pdf
Feuilles de données
IRF7706PBF.pdf

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Amérique États-Unis 5
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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