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IRF7706TRPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF7706TRPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF7706TRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF7706TRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 30V 7A 8TSSOP
Description détaillée
Emballage
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Fiche technique
IRF7706PBF.pdf
En stock: 3700

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF7706TRPBF
Infineon Technologies - IRF7706TRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF7706TRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-TSSOP  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 7A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 1.51W (Ta)  
Package / Boîte 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2211 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7A (Ta)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF7706TRPBF

Attributs du produit IRF7706TRPBF IRF7704 IRF7739L2TR1PBF IRF7707TRPBF
Modèle de produit IRF7706TRPBF IRF7704 IRF7739L2TR1PBF IRF7707TRPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 7A, 10V 46mOhm @ 4.6A, 10V 1mOhm @ 160A, 10V 22mOhm @ 7A, 4.5V
Tension drain-source (Vdss) 30 V 40 V 40 V 20 V
Package / Boîte 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) DirectFET™ Isometric L8 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V 2.5V, 4.5V
Fonction FET - - - -
Package composant fournisseur 8-TSSOP 8-TSSOP DirectFET™ Isometric L8 8-TSSOP
Dissipation de puissance (max) 1.51W (Ta) 1.5W (Ta) 3.8W (Ta), 125W (Tc) 1.5W (Ta)
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2211 pF @ 25 V 3150 pF @ 25 V 11880 pF @ 25 V 2361 pF @ 15 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
type de FET P-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 3V @ 250µA 4V @ 250µA 1.2V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7A (Ta) 4.6A (Ta) 46A (Ta), 375A (Tc) 7A (Ta)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 10 V 38 nC @ 4.5 V 330 nC @ 10 V 47 nC @ 4.5 V

Fiche technique IRF7706TRPBF PDF

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Autres documents connexes
IR Part Numbering System.pdf
PCN Obsolescence / EOL
IRF77xx,IRF8852TRPBF 17/Jan/2013.pdf
Feuilles de données
IRF7706PBF.pdf

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Amérique États-Unis 5
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L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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