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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF7705TR
IRF7705TR Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF7705TR - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF7705TR
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF7705TR
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 30V 8A 8TSSOP
Description détaillée
Emballage
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Fiche technique
IRF7705.pdf
En stock: 3670

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF7705TR
Infineon Technologies - IRF7705TR Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF7705TR

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-TSSOP  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 8A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 1.5W (Tc)  
Package / Boîte 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2774 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 88 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF7705TR

Attributs du produit IRF7705TR IRF7707TR IRF7706TRPBF IRF7706TR
Modèle de produit IRF7705TR IRF7707TR IRF7706TRPBF IRF7706TR
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 1.2V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Dissipation de puissance (max) 1.5W (Tc) 1.5W (Ta) 1.51W (Ta) 1.51W (Ta)
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 8A, 10V 22mOhm @ 7A, 4.5V 22mOhm @ 7A, 10V 22mOhm @ 7A, 10V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package / Boîte 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 88 nC @ 10 V 47 nC @ 4.5 V 72 nC @ 10 V 72 nC @ 10 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±12V ±20V ±20V
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2774 pF @ 25 V 2361 pF @ 15 V 2211 pF @ 25 V 2211 pF @ 25 V
Package composant fournisseur 8-TSSOP 8-TSSOP 8-TSSOP 8-TSSOP
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8A (Tc) 7A (Ta) 7A (Ta) 7A (Ta)
Tension drain-source (Vdss) 30 V 20 V 30 V 30 V

Fiche technique IRF7705TR PDF

Téléchargez IRF7705TR PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF7705TR - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
IR Part Numbering System.pdf
PCN Obsolescence / EOL
HiRel EOL 28/Jun/2015.pdf EOL122B 02/Oct/2007.pdf
Feuilles de données
IRF7705.pdf

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Amérique États-Unis 5
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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