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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF7702TR
IRF7702TR Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF7702TR - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF7702TR
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF7702TR
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 12V 8A 8TSSOP
Description détaillée
Emballage
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Fiche technique
IRF7702.pdf
En stock: 4350

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF7702TR
Infineon Technologies - IRF7702TR Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF7702TR

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-TSSOP  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 8A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 1.5W (Tc)  
Package / Boîte 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3470 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 81 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.8V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 12 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF7702TR

Attributs du produit IRF7702TR IRF7663TRPBF IRF7665S2TRPBF IRF7707TRPBF
Modèle de produit IRF7702TR IRF7663TRPBF IRF7665S2TRPBF IRF7707TRPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3470 pF @ 10 V 2520 pF @ 10 V 515 pF @ 25 V 2361 pF @ 15 V
Tension drain-source (Vdss) 12 V 20 V 100 V 20 V
Vgs (Max) ±8V ±12V ±20V ±12V
Dissipation de puissance (max) 1.5W (Tc) 1.8W (Ta) 2.4W (Ta), 30W (Tc) 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 8A, 4.5V 20mOhm @ 7A, 4.5V 62mOhm @ 8.9A, 10V 22mOhm @ 7A, 4.5V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 81 nC @ 4.5 V 45 nC @ 5 V 13 nC @ 10 V 47 nC @ 4.5 V
type de FET P-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Package / Boîte 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) DirectFET™ Isometric SB 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Séries HEXFET® HEXFET® - HEXFET®
Fonction FET - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8A (Tc) 8.2A (Ta) 4.1A (Ta), 14.4A (Tc) 7A (Ta)
Package composant fournisseur 8-TSSOP Micro8™ DirectFET™ Isometric SB 8-TSSOP
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.8V, 4.5V 2.5V, 4.5V - 2.5V, 4.5V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA 5V @ 25µA 1.2V @ 250µA
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

Fiche technique IRF7702TR PDF

Téléchargez IRF7702TR PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF7702TR - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
IR Part Numbering System.pdf
PCN Obsolescence / EOL
EOL122B 02/Oct/2007.pdf
Feuilles de données
IRF7702.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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