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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF7706TR
IRF7706TR Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF7706TR - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF7706TR
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF7706TR
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 30V 7A 8TSSOP
Description détaillée
Emballage
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Fiche technique
IRF7706.pdf
En stock: 3970

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF7706TR
Infineon Technologies - IRF7706TR Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF7706TR

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-TSSOP  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 7A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 1.51W (Ta)  
Package / Boîte 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2211 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7A (Ta)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF7706TR

Attributs du produit IRF7706TR IRF7701TR IRF7701TRPBF IRF7706TRPBF
Modèle de produit IRF7706TR IRF7701TR IRF7701TRPBF IRF7706TRPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipation de puissance (max) 1.51W (Ta) 1.5W (Ta) 1.5W (Ta) 1.51W (Ta)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7A (Ta) 10A (Tc) 10A (Ta) 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 7A, 10V 11mOhm @ 10A, 4.5V 11mOhm @ 10A, 4.5V 22mOhm @ 7A, 10V
Package / Boîte 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 10 V 100 nC @ 4.5 V 100 nC @ 4.5 V 72 nC @ 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 1.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V ±8V ±8V ±20V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Fonction FET - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2211 pF @ 25 V 5050 pF @ 10 V 5050 pF @ 10 V 2211 pF @ 25 V
Package composant fournisseur 8-TSSOP 8-TSSOP 8-TSSOP 8-TSSOP
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V 4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 30 V 12 V 12 V 30 V
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®

Fiche technique IRF7706TR PDF

Téléchargez IRF7706TR PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF7706TR - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
IR Part Numbering System.pdf
PCN Obsolescence / EOL
EOL122B 02/Oct/2007.pdf
Feuilles de données
IRF7706.pdf

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Amérique États-Unis 5
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L'Europe  Allemagne 5
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Asie Inde 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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