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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF7704TRPBF
IRF7704TRPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF7704TRPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF7704TRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF7704TRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 40V 4.6A 8TSSOP
Description détaillée
Emballage
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Fiche technique
IRF7704PBF.pdf
En stock: 4890

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF7704TRPBF
Infineon Technologies - IRF7704TRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF7704TRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-TSSOP  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 46mOhm @ 4.6A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 1.5W (Ta)  
Package / Boîte 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3150 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 40 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.6A (Ta)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF7704TRPBF

Attributs du produit IRF7704TRPBF IRF7665S2TRPBF IRF7704 IRF7726
Modèle de produit IRF7704TRPBF IRF7665S2TRPBF IRF7704 IRF7726
Fabricant Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Package / Boîte 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) DirectFET™ Isometric SB 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V - 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Séries HEXFET® - HEXFET® HEXFET®
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3150 pF @ 25 V 515 pF @ 25 V 3150 pF @ 25 V 2204 pF @ 25 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.6A (Ta) 4.1A (Ta), 14.4A (Tc) 4.6A (Ta) 7A (Ta)
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tube Tube
Tension drain-source (Vdss) 40 V 100 V 40 V 30 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 4.5 V 13 nC @ 10 V 38 nC @ 4.5 V 69 nC @ 10 V
type de FET P-Channel N-Channel P-Channel P-Channel
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 5V @ 25µA 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Package composant fournisseur 8-TSSOP DirectFET™ Isometric SB 8-TSSOP Micro8™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 46mOhm @ 4.6A, 10V 62mOhm @ 8.9A, 10V 46mOhm @ 4.6A, 10V 26mOhm @ 7A, 10V
Dissipation de puissance (max) 1.5W (Ta) 2.4W (Ta), 30W (Tc) 1.5W (Ta) 1.79W (Ta)

Fiche technique IRF7704TRPBF PDF

Téléchargez IRF7704TRPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF7704TRPBF - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
IR Part Numbering System.pdf
PCN Obsolescence / EOL
IRF77xx,IRF8852TRPBF 17/Jan/2013.pdf
Feuilles de données
IRF7704PBF.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
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Italie 5
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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