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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF5802TRPBF
IRF5802TRPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF5802TRPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF5802TRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF5802TRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 150V 900MA MICRO6
Description détaillée
Emballage
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Fiche technique
IRF5802TRPBF.pdf
État RoHS
En stock: 93990

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF5802TRPBF
Infineon Technologies - IRF5802TRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF5802TRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur Micro6™(TSOP-6)  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 540mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta)  
Package / Boîte SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 88 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.8 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 150 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 900mA (Ta)  
Numéro de produit de base IRF5802  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF5802TRPBF

Attributs du produit IRF5802TRPBF IRF5803TR IRF5800TR IRF5803D2
Modèle de produit IRF5802TRPBF IRF5803TR IRF5800TR IRF5803D2
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tension drain-source (Vdss) 150 V 40 V 30 V 40 V
Numéro de produit de base IRF5802 - - -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® FETKY™
Package / Boîte SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.8 nC @ 10 V 37 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V 37 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 88 pF @ 25 V 1110 pF @ 25 V 535 pF @ 25 V 1110 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta) 2W (Ta) 2W (Ta) 2W (Ta)
Package composant fournisseur Micro6™(TSOP-6) Micro6™(TSOP-6) Micro6™(TSOP-6) 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 540mA, 10V 112mOhm @ 3.4A, 10V 85mOhm @ 4A, 10V 112mOhm @ 3.4A, 10V
type de FET N-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 900mA (Ta) 3.4A (Ta) 4A (Ta) 3.4A (Ta)
Fonction FET - - - Schottky Diode (Isolated)
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA 3V @ 250µA 1V @ 250µA 3V @ 250µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V

Fiche technique IRF5802TRPBF PDF

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