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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF5802
IRF5802 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF5802 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF5802
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF5802
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 150V 900MA MICRO6
Description détaillée
Emballage
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Fiche technique
IRF5802.pdf
En stock: 4770

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF5802
Infineon Technologies - IRF5802 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF5802

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur Micro6™(TSOP-6)  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 540mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta)  
Package / Boîte SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Tube  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 88 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.8 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 150 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 900mA (Ta)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF5802

Attributs du produit IRF5802 IRF5803D2 IRF5802TRPBF IRF5803D2TR
Modèle de produit IRF5802 IRF5803D2 IRF5802TRPBF IRF5803D2TR
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta) 2W (Ta) 2W (Ta) 2W (Ta)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.8 nC @ 10 V 37 nC @ 10 V 6.8 nC @ 10 V 37 nC @ 10 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 900mA (Ta) 3.4A (Ta) 900mA (Ta) 3.4A (Ta)
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V ±20V
Tension drain-source (Vdss) 150 V 40 V 150 V 40 V
Package / Boîte SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
type de FET N-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA 3V @ 250µA 5.5V @ 250µA 3V @ 250µA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 88 pF @ 25 V 1110 pF @ 25 V 88 pF @ 25 V 1110 pF @ 25 V
Fonction FET - Schottky Diode (Isolated) - Schottky Diode (Isolated)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package composant fournisseur Micro6™(TSOP-6) 8-SO Micro6™(TSOP-6) 8-SO
Séries HEXFET® FETKY™ HEXFET® FETKY™
Emballer Tube Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 540mA, 10V 112mOhm @ 3.4A, 10V 1.2Ohm @ 540mA, 10V 112mOhm @ 3.4A, 10V

Fiche technique IRF5802 PDF

Téléchargez IRF5802 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF5802 - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
IR Part Numbering System.pdf
Feuilles de données
IRF5802.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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