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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF5802TR
IRF5802TR Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF5802TR - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF5802TR
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF5802TR
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP
Description détaillée
Emballage
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Fiche technique
IRF5802.pdf
En stock: 4660

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF5802TR
Infineon Technologies - IRF5802TR Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF5802TR

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur Micro6™(TSOP-6)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 540mA, 10V  
Package / Boîte SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Emballer Cut Tape (CT)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 88 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.8 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 150 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 900mA (Ta)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF5802TR

Attributs du produit IRF5802TR IRF5803D2PBF IRF542 IRF5800TR
Modèle de produit IRF5802TR IRF5803D2PBF IRF542 IRF5800TR
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Harris Corporation Infineon Technologies
Séries - FETKY™ - HEXFET®
type de FET N-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Type de montage Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Emballer Cut Tape (CT) Tube Bulk Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 540mA, 10V 112mOhm @ 3.4A, 10V 100mOhm @ 17A, 10V 85mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA 3V @ 250µA 4V @ 250µA 1V @ 250µA
Tension drain-source (Vdss) 150 V 40 V 100 V 30 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 88 pF @ 25 V 1110 pF @ 25 V 1450 pF @ 25 V 535 pF @ 25 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 900mA (Ta) 3.4A (Ta) 25A (Tc) 4A (Ta)
Fonction FET - Schottky Diode (Isolated) - -
Package composant fournisseur Micro6™(TSOP-6) 8-SO TO-220AB Micro6™(TSOP-6)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-220-3 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.8 nC @ 10 V 37 nC @ 10 V 59 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V

Fiche technique IRF5802TR PDF

Téléchargez IRF5802TR PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF5802TR - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
IR Part Numbering System.pdf
Feuilles de données
IRF5802.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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