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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF1010ZSTRLPBF
IRF1010ZSTRLPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF1010ZSTRLPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF1010ZSTRLPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF1010ZSTRLPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IRF1010ZSTRLPBF.pdf
État RoHS
En stock: 19179

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF1010ZSTRLPBF
Infineon Technologies - IRF1010ZSTRLPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF1010ZSTRLPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D2PAK  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 75A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 140W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2840 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 95 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 55 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 75A (Tc)  
Numéro de produit de base IRF1010  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF1010ZSTRLPBF

Attributs du produit IRF1010ZSTRLPBF IRF1010ZL IRF1010NSTRRPBF IRF1018EPBF
Modèle de produit IRF1010ZSTRLPBF IRF1010ZL IRF1010NSTRRPBF IRF1018EPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 75A, 10V 7.5mOhm @ 75A, 10V 11mOhm @ 43A, 10V 8.4mOhm @ 47A, 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 95 nC @ 10 V 95 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V 69 nC @ 10 V
Tension drain-source (Vdss) 55 V 55 V 55 V 60 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 75A (Tc) 75A (Tc) 85A (Tc) 79A (Tc)
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
Numéro de produit de base IRF1010 - IRF1010 IRF1018
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tube
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Package composant fournisseur D2PAK TO-262 D2PAK TO-220AB
Fonction FET - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2840 pF @ 25 V 2840 pF @ 25 V 3210 pF @ 25 V 2290 pF @ 50 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 100µA
Dissipation de puissance (max) 140W (Tc) 140W (Tc) 180W (Tc) 110W (Tc)
Type de montage Surface Mount Through Hole Surface Mount Through Hole
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®

Fiche technique IRF1010ZSTRLPBF PDF

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