Spécifications
Spécifications techniques IRF1010ZS
Infineon Technologies - IRF1010ZS Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF1010ZS
| Attributs du produit |
Valeur des attributs
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| Fabricant |
Infineon Technologies |
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| Vgs (th) (Max) @ Id |
4V @ 250µA |
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| Vgs (Max) |
±20V |
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| La technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
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| Package composant fournisseur |
D2PAK |
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| Séries |
HEXFET® |
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| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
7.5mOhm @ 75A, 10V |
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| Dissipation de puissance (max) |
140W (Tc) |
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| Package / Boîte |
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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| Emballer |
Tube |
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| Attributs du produit |
Valeur des attributs
| |
| Température de fonctionnement |
-55°C ~ 175°C (TJ) |
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| Type de montage |
Surface Mount |
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| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds |
2840 pF @ 25 V |
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| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs |
95 nC @ 10 V |
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| type de FET |
N-Channel |
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| Fonction FET |
- |
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| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) |
10V |
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| Tension drain-source (Vdss) |
55 V |
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| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C |
75A (Tc) |
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Mode de transport
Délai de livraison
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méthode de livraison
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| Pays communs Référence du temps logistique |
| Région |
Pays |
Heure logistique (jour) |
| Amérique |
États-Unis |
5 |
| Brésil |
7 |
| L'Europe |
Allemagne |
5 |
| Royaume-Uni |
4 |
| Italie |
5 |
| Océanie |
Australie |
6 |
| Nouvelle-Zélande |
5 |
| Asie |
Inde |
4 |
| Japon |
4 |
| Moyen-Orient |
Israël |
6 |
| Référence des frais d'expédition DHL et FedEx |
| Frais d'expédition (kg) |
Référence DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Note:
- Le tableau ci-dessus est pour référence uniquement.Il peut y avoir un certain biais de données pour les facteurs incontrôlables.
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IRF1010SIR
IRF1010ZLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 75A TO262