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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF1010NSTRRPBF
IRF1010NSTRRPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF1010NSTRRPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF1010NSTRRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF1010NSTRRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IRF1010NSTRRPBF.pdf
État RoHS
En stock: 3960

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF1010NSTRRPBF
Infineon Technologies - IRF1010NSTRRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF1010NSTRRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D2PAK  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 43A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 180W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3210 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 55 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 85A (Tc)  
Numéro de produit de base IRF1010  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF1010NSTRRPBF

Attributs du produit IRF1010NSTRRPBF IRF1010Z IRF1010ZS IRF1010ZSPBF
Modèle de produit IRF1010NSTRRPBF IRF1010Z IRF1010ZS IRF1010ZSPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Package composant fournisseur D2PAK TO-220AB D2PAK D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 43A, 10V 7.5mOhm @ 75A, 10V 7.5mOhm @ 75A, 10V 7.5mOhm @ 75A, 10V
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Numéro de produit de base IRF1010 - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 85A (Tc) 75A (Tc) 75A (Tc) 75A (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 55 V 55 V 55 V 55 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3210 pF @ 25 V 2840 pF @ 25 V 2840 pF @ 25 V 2840 pF @ 25 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V 95 nC @ 10 V 95 nC @ 10 V 95 nC @ 10 V
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tube Bulk
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipation de puissance (max) 180W (Tc) 140W (Tc) 140W (Tc) 140W (Tc)
Type de montage Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V -

Fiche technique IRF1010NSTRRPBF PDF

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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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