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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF1018EPBF
IRF1018EPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF1018EPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF1018EPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF1018EPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 79A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
IRF1018EPBF.pdf
État RoHS
En stock: 62190

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF1018EPBF
Infineon Technologies - IRF1018EPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF1018EPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220AB  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.4mOhm @ 47A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 110W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2290 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 69 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 79A (Tc)  
Numéro de produit de base IRF1018  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF1018EPBF

Attributs du produit IRF1018EPBF IRF1010ZPBF IRF1104LPBF IRF1010ZLPBF
Modèle de produit IRF1018EPBF IRF1010ZPBF IRF1104LPBF IRF1010ZLPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Dissipation de puissance (max) 110W (Tc) 140W (Tc) - 140W (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 60 V 55 V 40 V 55 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 69 nC @ 10 V 95 nC @ 10 V 93 nC @ 10 V 95 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V - ±20V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 79A (Tc) 75A (Tc) 100A (Tc) 75A (Tc)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2290 pF @ 50 V 2840 pF @ 25 V 2900 pF @ 25 V 2840 pF @ 25 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V - 10V
Package composant fournisseur TO-220AB TO-220AB TO-262 TO-262
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Emballer Tube Tube Tube Tube
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Fonction FET - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.4mOhm @ 47A, 10V 7.5mOhm @ 75A, 10V 9mOhm @ 60A, 10V 7.5mOhm @ 75A, 10V
Numéro de produit de base IRF1018 IRF1010 - -

Fiche technique IRF1018EPBF PDF

Téléchargez IRF1018EPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF1018EPBF - Infineon Technologies.

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Mode de transport

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Amérique États-Unis 5
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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