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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF1018ESTRLPBF
IRF1018ESTRLPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF1018ESTRLPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF1018ESTRLPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF1018ESTRLPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IRF1018ESTRLPBF.pdf
État RoHS
En stock: 29473

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF1018ESTRLPBF
Infineon Technologies - IRF1018ESTRLPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF1018ESTRLPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D2PAK  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.4mOhm @ 47A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 110W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2290 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 69 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 79A (Tc)  
Numéro de produit de base IRF1018  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF1018ESTRLPBF

Attributs du produit IRF1018ESTRLPBF IRF1104LPBF IRF1018ESLPBF IRF1104PBF
Modèle de produit IRF1018ESTRLPBF IRF1104LPBF IRF1018ESLPBF IRF1104PBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Numéro de produit de base IRF1018 - - IRF1104
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2290 pF @ 50 V 2900 pF @ 25 V 2290 pF @ 50 V 2900 pF @ 25 V
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Dissipation de puissance (max) 110W (Tc) - 110W (Tc) 170W (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA 4V @ 250µA 4V @ 100µA 4V @ 250µA
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V - ±20V ±20V
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tube Tube
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 79A (Tc) 100A (Tc) 79A (Tc) 100A (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.4mOhm @ 47A, 10V 9mOhm @ 60A, 10V 8.4mOhm @ 47A, 10V 9mOhm @ 60A, 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 69 nC @ 10 V 93 nC @ 10 V 69 nC @ 10 V 93 nC @ 10 V
Fonction FET - - - -
Type de montage Surface Mount Through Hole Through Hole Through Hole
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-220-3
Package composant fournisseur D2PAK TO-262 TO-262 TO-220AB
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V - 10V 10V
Tension drain-source (Vdss) 60 V 40 V 60 V 40 V

Fiche technique IRF1018ESTRLPBF PDF

Téléchargez IRF1018ESTRLPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF1018ESTRLPBF - Infineon Technologies.

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Amérique États-Unis 5
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Asie Inde 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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