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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIPP230N06L3G
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IPP230N06L3G - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IPP230N06L3G
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IPP230N06L3G
Modèle ECAD
Description des pièces
N-CHANNEL POWER MOSFET
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
IPP230N06L3G.pdf
État RoHS
En stock: 85200

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IPP230N06L3G
Infineon Technologies - IPP230N06L3G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IPP230N06L3G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 11µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO220-3  
Séries OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 30A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 36W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1600 pF @ 30 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 30A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IPP230N06L3G

Attributs du produit IPP230N06L3G IPP200N25N3GXKSA1 IPP220N25NFD IPP260N06N3G
Modèle de produit IPP230N06L3G IPP200N25N3GXKSA1 IPP220N25NFD IPP260N06N3G
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Package composant fournisseur PG-TO220-3 PG-TO220-3 PG-TO220-3 PG-TO220-3
Tension drain-source (Vdss) 60 V 250 V 250 V 60 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 30A (Tc) 64A (Tc) 61A (Tc) 27A (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 4.5 V 86 nC @ 10 V 86 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V
Dissipation de puissance (max) 36W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc) 36W (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1600 pF @ 30 V 7100 pF @ 100 V 7076 pF @ 125 V 1200 pF @ 30 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 30A, 10V 20mOhm @ 64A, 10V 22mOhm @ 61A, 10V 25.7mOhm @ 27A, 10V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 10V - 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 11µA 4V @ 270µA 4V @ 270µA 4V @ 11µA
Séries OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™FD OptiMOS™3
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Fonction FET - - - -
Emballer Bulk Tube Bulk Bulk

Mode de transport

Délai de livraison

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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