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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIPP220N25NFD
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IPP220N25NFD - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IPP220N25NFD
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IPP220N25NFD
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 250V 61A TO220-3
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
IPP220N25NFD.pdf
État RoHS
En stock: 4590

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IPP220N25NFD
Infineon Technologies - IPP220N25NFD Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IPP220N25NFD

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 270µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO220-3  
Séries OptiMOS™FD  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 61A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Bulk  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7076 pF @ 125 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 86 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 250 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 61A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IPP220N25NFD

Attributs du produit IPP220N25NFD IPP220N25NFDAKSA1 IPP260N06N3G IPP230N06L3G
Modèle de produit IPP220N25NFD IPP220N25NFDAKSA1 IPP260N06N3G IPP230N06L3G
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Séries OptiMOS™FD OptiMOS™ OptiMOS™3 OptiMOS™
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7076 pF @ 125 V 7076 pF @ 125 V 1200 pF @ 30 V 1600 pF @ 30 V
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc) 300W (Tc) 36W (Tc) 36W (Tc)
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 61A, 10V 22mOhm @ 61A, 10V 25.7mOhm @ 27A, 10V 23mOhm @ 30A, 10V
Fonction FET - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package composant fournisseur PG-TO220-3 PG-TO220-3 PG-TO220-3 PG-TO220-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 61A (Tc) 61A (Tc) 27A (Tc) 30A (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 86 nC @ 10 V 86 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V 10 nC @ 4.5 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 270µA 4V @ 270µA 4V @ 11µA 2.2V @ 11µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Bulk Tube Bulk Bulk
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tension drain-source (Vdss) 250 V 250 V 60 V 60 V

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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