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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIPP220N25NFDAKSA1
IPP220N25NFDAKSA1 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IPP220N25NFDAKSA1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IPP220N25NFDAKSA1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IPP220N25NFDAKSA1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 250V 61A TO220-3
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
IPP220N25NFDAKSA1.pdf
État RoHS
En stock: 8804

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IPP220N25NFDAKSA1
Infineon Technologies - IPP220N25NFDAKSA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IPP220N25NFDAKSA1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 270µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO220-3  
Séries OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 61A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7076 pF @ 125 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 86 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 250 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 61A (Tc)  
Numéro de produit de base IPP220  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IPP220N25NFDAKSA1

Attributs du produit IPP220N25NFDAKSA1 IPP220N25NFD IPP200N25N3GXKSA1 IPP260N06N3G
Modèle de produit IPP220N25NFDAKSA1 IPP220N25NFD IPP200N25N3GXKSA1 IPP260N06N3G
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Fonction FET - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 61A, 10V 22mOhm @ 61A, 10V 20mOhm @ 64A, 10V 25.7mOhm @ 27A, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V - 10V 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7076 pF @ 125 V 7076 pF @ 125 V 7100 pF @ 100 V 1200 pF @ 30 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Package composant fournisseur PG-TO220-3 PG-TO220-3 PG-TO220-3 PG-TO220-3
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 86 nC @ 10 V 86 nC @ 10 V 86 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V
Numéro de produit de base IPP220 - IPP200 -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 61A (Tc) 61A (Tc) 64A (Tc) 27A (Tc)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tension drain-source (Vdss) 250 V 250 V 250 V 60 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 270µA 4V @ 270µA 4V @ 270µA 4V @ 11µA
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tube Bulk Tube Bulk
Séries OptiMOS™ OptiMOS™FD OptiMOS™ OptiMOS™3
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc) 36W (Tc)

Fiche technique IPP220N25NFDAKSA1 PDF

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Autres documents connexes
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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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IPP220N25NFDAKSA1

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