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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIPP200N25N3GXKSA1
IPP200N25N3GXKSA1 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IPP200N25N3GXKSA1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IPP200N25N3GXKSA1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IPP200N25N3GXKSA1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
IPP200N25N3GXKSA1.pdf
État RoHS
En stock: 7512

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IPP200N25N3GXKSA1
Infineon Technologies - IPP200N25N3GXKSA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IPP200N25N3GXKSA1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 270µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO220-3  
Séries OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 64A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7100 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 86 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 250 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 64A (Tc)  
Numéro de produit de base IPP200  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IPP200N25N3GXKSA1

Attributs du produit IPP200N25N3GXKSA1 IPP220N25NFD IPP220N25NFDAKSA1 IPP230N06L3G
Modèle de produit IPP200N25N3GXKSA1 IPP220N25NFD IPP220N25NFDAKSA1 IPP230N06L3G
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Séries OptiMOS™ OptiMOS™FD OptiMOS™ OptiMOS™
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 250 V 250 V 250 V 60 V
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc) 36W (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V - 10V 4.5V, 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 270µA 4V @ 270µA 4V @ 270µA 2.2V @ 11µA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7100 pF @ 100 V 7076 pF @ 125 V 7076 pF @ 125 V 1600 pF @ 30 V
Package composant fournisseur PG-TO220-3 PG-TO220-3 PG-TO220-3 PG-TO220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 64A, 10V 22mOhm @ 61A, 10V 22mOhm @ 61A, 10V 23mOhm @ 30A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 64A (Tc) 61A (Tc) 61A (Tc) 30A (Tc)
Emballer Tube Bulk Tube Bulk
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 86 nC @ 10 V 86 nC @ 10 V 86 nC @ 10 V 10 nC @ 4.5 V
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Numéro de produit de base IPP200 - IPP220 -
Fonction FET - - - -

Fiche technique IPP200N25N3GXKSA1 PDF

Téléchargez IPP200N25N3GXKSA1 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IPP200N25N3GXKSA1 - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev A/T 26/Apr/2021.pdf

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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IPP200N25N3GXKSA1

Infineon Technologies
32D-IPP200N25N3GXKSA1

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