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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIPP260N06N3G
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IPP260N06N3G - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IPP260N06N3G
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IPP260N06N3G
Modèle ECAD
Description des pièces
N-CHANNEL POWER MOSFET
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
IPP260N06N3G.pdf
État RoHS
En stock: 4410

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IPP260N06N3G
Infineon Technologies - IPP260N06N3G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IPP260N06N3G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 11µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO220-3  
Séries OptiMOS™3  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25.7mOhm @ 27A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 36W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1200 pF @ 30 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 27A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IPP260N06N3G

Attributs du produit IPP260N06N3G IPP220N25NFDAKSA1 IPP320N20N3GXKSA1 IPP25N06S3L-22
Modèle de produit IPP260N06N3G IPP220N25NFDAKSA1 IPP320N20N3GXKSA1 IPP25N06S3L-22
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Dissipation de puissance (max) 36W (Tc) 300W (Tc) 136W (Tc) 50W (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V 86 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V 47 nC @ 10 V
Séries OptiMOS™3 OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1200 pF @ 30 V 7076 pF @ 125 V 2350 pF @ 100 V 2260 pF @ 25 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 11µA 4V @ 270µA 4V @ 90µA 2.2V @ 20µA
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tension drain-source (Vdss) 60 V 250 V 200 V 55 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25.7mOhm @ 27A, 10V 22mOhm @ 61A, 10V 32mOhm @ 34A, 10V 21.6mOhm @ 17A, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 5V, 10V
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 27A (Tc) 61A (Tc) 34A (Tc) 25A (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Emballer Bulk Tube Tube Tube
Fonction FET - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±16V
Package composant fournisseur PG-TO220-3 PG-TO220-3 PG-TO220-3 PG-TO220-3-1

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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