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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxBSC155N06NDATMA1
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

BSC155N06NDATMA1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
BSC155N06NDATMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-BSC155N06NDATMA1
Modèle ECAD
Description des pièces
TRENCH 40<-<100V
Description détaillée
Emballage
8-PowerVDFN
Fiche technique
BSC155N06NDATMA1.pdf
État RoHS
En stock: 51250

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques BSC155N06NDATMA1
Infineon Technologies - BSC155N06NDATMA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - BSC155N06NDATMA1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 20µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TDSON-8-4  
Séries OptiMOS™-T2  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.5mOhm @ 17A, 10V  
Puissance - Max 50W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerVDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2250pF @ 30V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 60V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 20A (Tc)  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base BSC155  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies BSC155N06NDATMA1

Attributs du produit BSC155N06NDATMA1 BSC150N03LD BSC150N03LDGATMA1 BSC152N10NSFG
Modèle de produit BSC155N06NDATMA1 BSC150N03LD BSC150N03LDGATMA1 BSC152N10NSFG
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Numéro de produit de base BSC155 BSC150 BSC150 -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2250pF @ 30V 1100pF @ 15V 1100pF @ 15V 1900 pF @ 50 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.5mOhm @ 17A, 10V 15mOhm @ 20A, 10V 15mOhm @ 20A, 10V 15.2mOhm @ 25A, 10V
Puissance - Max 50W (Tc) 26W 26W -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V 6.4nC @ 10V 13.2nC @ 10V 29 nC @ 10 V
Séries OptiMOS™-T2 OptiMOS™3 OptiMOS™ OptiMOS™2
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 20µA 2.2V @ 250µA 2.2V @ 250µA 4V @ 72µA
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Package composant fournisseur PG-TDSON-8-4 PG-TDSON-8-4 PG-TDSON-8-4 PG-TDSON-8
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) -
Package / Boîte 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerTDFN
Fonction FET - Logic Level Gate Logic Level Gate -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 20A (Tc) 8A 8A 9.4A (Ta), 63A (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 60V 30V 30V 100 V

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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