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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxBSC150N03LD
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

BSC150N03LD - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
BSC150N03LD
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-BSC150N03LD
Modèle ECAD
Description des pièces
N-CHANNEL POWER MOSFET
Description détaillée
Emballage
8-PowerVDFN
Fiche technique
BSC150N03LD.pdf
En stock: 75490

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques BSC150N03LD
Infineon Technologies - BSC150N03LD Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - BSC150N03LD

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TDSON-8-4  
Séries OptiMOS™3  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 20A, 10V  
Puissance - Max 26W  
Package / Boîte 8-PowerVDFN  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 15V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.4nC @ 10V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 30V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8A  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base BSC150  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies BSC150N03LD

Attributs du produit BSC150N03LD BSC155N06NDATMA1 BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LDG
Modèle de produit BSC150N03LD BSC155N06NDATMA1 BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LDG
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Séries OptiMOS™3 OptiMOS™-T2 OptiMOS™ -
Puissance - Max 26W 50W (Tc) 26W -
Fonction FET Logic Level Gate - Logic Level Gate -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.4nC @ 10V 29nC @ 10V 13.2nC @ 10V -
Tension drain-source (Vdss) 30V 60V 30V -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Emballer Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8A 20A (Tc) 8A -
Package composant fournisseur PG-TDSON-8-4 PG-TDSON-8-4 PG-TDSON-8-4 -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 20A, 10V 15.5mOhm @ 17A, 10V 15mOhm @ 20A, 10V -
Package / Boîte 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN -
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA 4V @ 20µA 2.2V @ 250µA -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Numéro de produit de base BSC150 BSC155 BSC150 -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 15V 2250pF @ 30V 1100pF @ 15V -

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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