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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxBSC150N03LDGATMA1
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

BSC150N03LDGATMA1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
BSC150N03LDGATMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-BSC150N03LDGATMA1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON
Description détaillée
Emballage
8-PowerVDFN
Fiche technique
BSC150N03LDGATMA1.pdf
État RoHS
En stock: 83110

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques BSC150N03LDGATMA1
Infineon Technologies - BSC150N03LDGATMA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - BSC150N03LDGATMA1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TDSON-8-4  
Séries OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 20A, 10V  
Puissance - Max 26W  
Package / Boîte 8-PowerVDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 15V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 13.2nC @ 10V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 30V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8A  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base BSC150  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies BSC150N03LDGATMA1

Attributs du produit BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LD BSC155N06NDATMA1 BSC12DN20NS3GATMA
Modèle de produit BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LD BSC155N06NDATMA1 BSC12DN20NS3GATMA
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA 2.2V @ 250µA 4V @ 20µA -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8A 8A 20A (Tc) -
Puissance - Max 26W 26W 50W (Tc) -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 13.2nC @ 10V 6.4nC @ 10V 29nC @ 10V -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Package composant fournisseur PG-TDSON-8-4 PG-TDSON-8-4 PG-TDSON-8-4 -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) -
Tension drain-source (Vdss) 30V 30V 60V -
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate - -
Numéro de produit de base BSC150 BSC150 BSC155 -
Séries OptiMOS™ OptiMOS™3 OptiMOS™-T2 -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 15V 1100pF @ 15V 2250pF @ 30V -
Package / Boîte 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 20A, 10V 15mOhm @ 20A, 10V 15.5mOhm @ 17A, 10V -
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) -

Fiche technique BSC150N03LDGATMA1 PDF

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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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