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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleBSC12DN20NS3GATMA1
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

BSC12DN20NS3GATMA1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
BSC12DN20NS3GATMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-BSC12DN20NS3GATMA1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON
Description détaillée
Emballage
8-PowerTDFN
Fiche technique
BSC12DN20NS3GATMA1.pdf
État RoHS
En stock: 43850

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques BSC12DN20NS3GATMA1
Infineon Technologies - BSC12DN20NS3GATMA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - BSC12DN20NS3GATMA1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 25µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TDSON-8-5  
Séries OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 5.7A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 50W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerTDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 680 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.7 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11.3A (Tc)  
Numéro de produit de base BSC12DN20  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies BSC12DN20NS3GATMA1

Attributs du produit BSC12DN20NS3GATMA1 BSC146N10LS5ATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 BSC152N10NSFG
Modèle de produit BSC12DN20NS3GATMA1 BSC146N10LS5ATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 BSC152N10NSFG
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Dissipation de puissance (max) 50W (Tc) 2.5W (Ta), 52W (Tc) 2.5W (Ta), 66W (Tc) 114W (Tc)
Package / Boîte 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Numéro de produit de base BSC12DN20 BSC146 BSC123 -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11.3A (Tc) 44A (Tc) 11A (Ta), 55A (Tc) 9.4A (Ta), 63A (Tc)
Fonction FET - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 680 pF @ 100 V 1300 pF @ 50 V 1870 pF @ 40 V 1900 pF @ 50 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 5.7A, 10V 14.6mOhm @ 22A, 10V 12.3mOhm @ 33A, 10V 15.2mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 25µA 2.3V @ 23µA 3.5V @ 33µA 4V @ 72µA
Package composant fournisseur PG-TDSON-8-5 PG-TDSON-8-6 PG-TDSON-8-1 PG-TDSON-8
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 4.5V, 10V 6V, 10V 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.7 nC @ 10 V 10 nC @ 4.5 V 25 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V
Tension drain-source (Vdss) 200 V 100 V 80 V 100 V
Séries OptiMOS™ OptiMOS™ 5 OptiMOS™ OptiMOS™2

Fiche technique BSC12DN20NS3GATMA1 PDF

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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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