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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleBSC152N10NSFG
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

BSC152N10NSFG - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
BSC152N10NSFG
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-BSC152N10NSFG
Modèle ECAD
Description des pièces
N-CHANNEL POWER MOSFET
Description détaillée
Emballage
8-PowerTDFN
Fiche technique
BSC152N10NSFG.pdf
État RoHS
En stock: 25898

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques BSC152N10NSFG
Infineon Technologies - BSC152N10NSFG Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - BSC152N10NSFG

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 72µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TDSON-8  
Séries OptiMOS™2  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.2mOhm @ 25A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 114W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerTDFN  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9.4A (Ta), 63A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies BSC152N10NSFG

Attributs du produit BSC152N10NSFG BSC146N10LS5ATMA1 BSC160N10NS3GATMA1 BSC12DN20NS3GATMA1
Modèle de produit BSC152N10NSFG BSC146N10LS5ATMA1 BSC160N10NS3GATMA1 BSC12DN20NS3GATMA1
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 50 V 1300 pF @ 50 V 1700 pF @ 50 V 680 pF @ 100 V
Emballer Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.2mOhm @ 25A, 10V 14.6mOhm @ 22A, 10V 16mOhm @ 33A, 10V 125mOhm @ 5.7A, 10V
Fonction FET - - - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package composant fournisseur PG-TDSON-8 PG-TDSON-8-6 PG-TDSON-8-1 PG-TDSON-8-5
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 4.5V, 10V 6V, 10V 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V 10 nC @ 4.5 V 25 nC @ 10 V 8.7 nC @ 10 V
Tension drain-source (Vdss) 100 V 100 V 100 V 200 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 72µA 2.3V @ 23µA 3.5V @ 33µA 4V @ 25µA
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Séries OptiMOS™2 OptiMOS™ 5 OptiMOS™ OptiMOS™
Package / Boîte 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Dissipation de puissance (max) 114W (Tc) 2.5W (Ta), 52W (Tc) 60W (Tc) 50W (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9.4A (Ta), 63A (Tc) 44A (Tc) 8.8A (Ta), 42A (Tc) 11.3A (Tc)

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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