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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNVF3055L108T1G
NVF3055L108T1G Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NVF3055L108T1G - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NVF3055L108T1G
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NVF3055L108T1G
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
Description détaillée
Emballage
TO-261-4, TO-261AA
Fiche technique
NTF3055L108, NVF3055L108.pdf
État RoHS
En stock: 80090

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NVF3055L108T1G
onsemi - NVF3055L108T1G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NVF3055L108T1G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±15V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-223 (TO-261)  
Séries Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 1.5A, 5V  
Dissipation de puissance (max) 1.3W (Ta)  
Package / Boîte TO-261-4, TO-261AA  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 440 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3A (Ta)  
Numéro de produit de base NVF3055  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NVF3055L108T1G

Attributs du produit NVF3055L108T1G SUD08P06-155L-GE3 NVF2201NT1G NVF5P03T3G
Modèle de produit NVF3055L108T1G SUD08P06-155L-GE3 NVF2201NT1G NVF5P03T3G
Fabricant onsemi Vishay Siliconix onsemi onsemi
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 1.5A, 5V 155mOhm @ 5A, 10V 1Ohm @ 300mA, 10V 100mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs (Max) ±15V ±20V ±20V ±20V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
type de FET N-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Fonction FET - - - -
Package / Boîte TO-261-4, TO-261AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 SC-70, SOT-323 TO-261-4, TO-261AA
Package composant fournisseur SOT-223 (TO-261) TO-252 SC-70-3 (SOT323) SOT-223 (TO-261)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Séries Automotive, AEC-Q101 TrenchFET® Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101
Numéro de produit de base NVF3055 SUD08 NVF220 NVF5P03
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 3V @ 250µA 2.4V @ 250µA 3V @ 250µA
Dissipation de puissance (max) 1.3W (Ta) 1.7W (Ta), 20.8W (Tc) 150mW (Ta) 1.56W (Ta)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 440 pF @ 25 V 450 pF @ 25 V 45 pF @ 5 V 950 pF @ 25 V
Tension drain-source (Vdss) 60 V 60 V 20 V 30 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3A (Ta) 8.4A (Tc) 300mA (Ta) 3.7A (Ta)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 5 V 19 nC @ 10 V - 38 nC @ 10 V

Fiche technique NVF3055L108T1G PDF

Téléchargez NVF3055L108T1G PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NVF3055L108T1G - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Emballage PCN
Covering Tape/Material Chg 20/May/2016.pdf
Assemblage / origine PCN
Wire Bond 04/Dec/2020.pdf
Feuilles de données
NTF3055L108, NVF3055L108.pdf

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Asie Inde 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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