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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNVF2955T1G
NVF2955T1G Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NVF2955T1G - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NVF2955T1G
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NVF2955T1G
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 60V 2.6A SOT223
Description détaillée
Emballage
TO-261-4, TO-261AA
Fiche technique
NTF2955,NVF2955.pdf
État RoHS
En stock: 50720

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NVF2955T1G
onsemi - NVF2955T1G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NVF2955T1G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-223 (TO-261)  
Séries Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 170mOhm @ 750mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 1W (Ta)  
Package / Boîte TO-261-4, TO-261AA  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 492 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14.3 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.6A (Ta)  
Numéro de produit de base NVF2955  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NVF2955T1G

Attributs du produit NVF2955T1G AON7292 IRFS4310ZTRLPBF IXTY1R4N60P
Modèle de produit NVF2955T1G AON7292 IRFS4310ZTRLPBF IXTY1R4N60P
Fabricant onsemi Alpha & Omega Semiconductor Inc. Infineon Technologies IXYS
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 4.5V, 10V 10V 10V
Tension drain-source (Vdss) 60 V 100 V 100 V 600 V
type de FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.6A (Ta) 9A (Ta), 23A (Tc) 120A (Tc) 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 170mOhm @ 750mA, 10V 24mOhm @ 9A, 10V 6mOhm @ 75A, 10V 9Ohm @ 700mA, 10V
Séries Automotive, AEC-Q101 AlphaMOS HEXFET® PolarHV™
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14.3 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V 5.2 nC @ 10 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Boîte TO-261-4, TO-261AA 8-PowerWDFN TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dissipation de puissance (max) 1W (Ta) 4.1W (Ta), 28W (Tc) 250W (Tc) 50W (Tc)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±30V
Package composant fournisseur SOT-223 (TO-261) 8-DFN-EP (3.3x3.3) D2PAK TO-252AA
Numéro de produit de base NVF2955 AON72 IRFS4310 IXTY1
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 492 pF @ 25 V 1170 pF @ 50 V 6860 pF @ 50 V 140 pF @ 25 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA 2.6V @ 250µA 4V @ 150µA 5.5V @ 25µA

Fiche technique NVF2955T1G PDF

Téléchargez NVF2955T1G PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NVF2955T1G - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Emballage PCN
Covering Tape/Material Chg 20/May/2016.pdf
Assemblage / origine PCN
Wire Bond 04/Dec/2020.pdf
Feuilles de données
NTF2955,NVF2955.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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