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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDZ206P
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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FDZ206P - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDZ206P
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDZ206P
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 20V 13A 30BGA
Emballage
30-WFBGA
Fiche technique
FDZ206P.pdf
Notre certification
En stock: 4550

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Quantité
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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques FDZ206P
onsemi - FDZ206P Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDZ206P

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 30-BGA (4x3.5)  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 13A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 2.2W (Ta)  
Package / Boîte 30-WFBGA  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4280 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 53 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 13A (Ta)  
Numéro de produit de base FDZ20  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDZ206P

Attributs du produit FDZ206P FDZ204P FDZ208P FDZ202P
Modèle de produit FDZ206P FDZ204P FDZ208P FDZ202P
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 53 nC @ 4.5 V 13 nC @ 4.5 V 35 nC @ 5 V 13 nC @ 4.5 V
Fonction FET - - - -
Package composant fournisseur 30-BGA (4x3.5) 9-BGA (2x2.1) 30-BGA (4x3.5) 12-BGA (2x2.5)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Boîte 30-WFBGA 9-WFBGA 30-WFBGA 12-WFBGA
Numéro de produit de base FDZ20 - - -
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 13A, 4.5V 45mOhm @ 4.5A, 4.5V 10.5mOhm @ 12.5A, 10V 45mOhm @ 5.5A, 4.5V
Dissipation de puissance (max) 2.2W (Ta) 1.8W (Ta) 2.2W (Ta) 2W (Ta)
Vgs (Max) ±12V ±12V ±25V ±12V
Séries PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Bulk
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V 2.5V, 4.5V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 13A (Ta) 4.5A (Ta) 12.5A (Ta) 5.5A (Ta)
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 3V @ 250µA 1.5V @ 250µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 20 V 20 V 30 V 20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4280 pF @ 10 V 884 pF @ 10 V 2409 pF @ 15 V 884 pF @ 10 V

Fiche technique FDZ206P PDF

Téléchargez FDZ206P PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDZ206P - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Feuilles de données
FDZ206P.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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