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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNVF3055-100T1G
NVF3055-100T1G Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NVF3055-100T1G - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NVF3055-100T1G
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NVF3055-100T1G
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
Description détaillée
Emballage
TO-261-4, TO-261AA
Fiche technique
NTF3055−100, NVF3055−100.pdf
État RoHS
En stock: 5190

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NVF3055-100T1G
onsemi - NVF3055-100T1G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NVF3055-100T1G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-223 (TO-261)  
Séries Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 1.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 1.3W (Ta)  
Package / Boîte TO-261-4, TO-261AA  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 455 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3A (Ta)  
Numéro de produit de base NVF3055  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NVF3055-100T1G

Attributs du produit NVF3055-100T1G NVF2955T1G NVF6P02T3G NVF5P03T3G
Modèle de produit NVF3055-100T1G NVF2955T1G NVF6P02T3G NVF5P03T3G
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 455 pF @ 25 V 492 pF @ 25 V 1200 pF @ 16 V 950 pF @ 25 V
Package composant fournisseur SOT-223 (TO-261) SOT-223 (TO-261) SOT-223 (TO-261) SOT-223 (TO-261)
Package / Boîte TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
type de FET N-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 1mA 1V @ 250µA 3V @ 250µA
Tension drain-source (Vdss) 60 V 60 V 20 V 30 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V 14.3 nC @ 10 V 20 nC @ 4.5 V 38 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 1.5A, 10V 170mOhm @ 750mA, 10V 50mOhm @ 6A, 4.5V 100mOhm @ 5.2A, 10V
Séries Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3A (Ta) 2.6A (Ta) 10A (Ta) 3.7A (Ta)
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 1.3W (Ta) 1W (Ta) 8.3W (Ta) 1.56W (Ta)
Numéro de produit de base NVF3055 NVF2955 NVF6P02 NVF5P03
Vgs (Max) ±20V ±20V ±8V ±20V

Fiche technique NVF3055-100T1G PDF

Téléchargez NVF3055-100T1G PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NVF3055-100T1G - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Emballage PCN
Covering Tape/Material Chg 20/May/2016.pdf
Feuilles de données
NTF3055−100, NVF3055−100.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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