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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNVF2201NT1G
NVF2201NT1G Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NVF2201NT1G - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NVF2201NT1G
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NVF2201NT1G
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 20V 300MA SC70-3
Description détaillée
Emballage
SC-70, SOT-323
Fiche technique
MMBF2201NT1.pdf
En stock: 4620

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NVF2201NT1G
onsemi - NVF2201NT1G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NVF2201NT1G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SC-70-3 (SOT323)  
Séries Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 300mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 150mW (Ta)  
Package / Boîte SC-70, SOT-323  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 45 pF @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 300mA (Ta)  
Numéro de produit de base NVF220  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NVF2201NT1G

Attributs du produit NVF2201NT1G IPB120P04P4L03ATMA1 NVF5P03T3G NVF2955PT1G
Modèle de produit NVF2201NT1G IPB120P04P4L03ATMA1 NVF5P03T3G NVF2955PT1G
Fabricant onsemi Infineon Technologies onsemi onsemi
Numéro de produit de base NVF220 IPB120 NVF5P03 NVF295
Vgs (Max) ±20V ±16V ±20V ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 45 pF @ 5 V 15000 pF @ 25 V 950 pF @ 25 V 492 pF @ 25 V
Tension drain-source (Vdss) 20 V 40 V 30 V 60 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Dissipation de puissance (max) 150mW (Ta) 136W (Tc) 1.56W (Ta) 1W (Ta)
type de FET N-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 300mA, 10V 3.1mOhm @ 100A, 10V 100mOhm @ 5.2A, 10V 185mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA 2.2V @ 340µA 3V @ 250µA 4V @ 1mA
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 300mA (Ta) 120A (Tc) 3.7A (Ta) 1.7A (Ta)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V
Package composant fournisseur SC-70-3 (SOT323) PG-TO263-3 SOT-223 (TO-261) SOT-223 (TO-261)
Fonction FET - - - -
Séries Automotive, AEC-Q101 OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101
Package / Boîte SC-70, SOT-323 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA

Fiche technique NVF2201NT1G PDF

Téléchargez NVF2201NT1G PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NVF2201NT1G - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Green Compound Update 04/Mar/2015.pdf
PCN Obsolescence / EOL
1Q2018 Product EOL 31/Mar/2018.pdf
Feuilles de données
MMBF2201NT1.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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