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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRL2505PBF
IRL2505PBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRL2505PBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRL2505PBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRL2505PBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 55V 104A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
IRL2505PBF.pdf
État RoHS
En stock: 21124

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRL2505PBF
Infineon Technologies - IRL2505PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRL2505PBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220AB  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 54A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 200W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5000 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 55 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 104A (Tc)  
Numéro de produit de base IRL2505  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRL2505PBF

Attributs du produit IRL2505PBF IRL2203NSTRLPBF IRL2203NSPBF IRL2703PBF
Modèle de produit IRL2505PBF IRL2203NSTRLPBF IRL2203NSPBF IRL2703PBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Numéro de produit de base IRL2505 - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 1V @ 250µA
Type de montage Through Hole Surface Mount Surface Mount Through Hole
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5000 pF @ 25 V 3290 pF @ 25 V 3290 pF @ 25 V 450 pF @ 25 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 55 V 30 V 30 V 30 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Boîte TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 54A, 10V 7mOhm @ 60A, 10V 7mOhm @ 60A, 10V 40mOhm @ 14A, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 104A (Tc) 116A (Tc) 116A (Tc) 24A (Tc)
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipation de puissance (max) 200W (Tc) 3.8W (Ta), 180W (Tc) 3.8W (Ta), 180W (Tc) 45W (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 5 V 60 nC @ 4.5 V 60 nC @ 4.5 V 15 nC @ 4.5 V
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Bulk Tube
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±16V
Package composant fournisseur TO-220AB D2PAK D2PAK TO-220AB

Fiche technique IRL2505PBF PDF

Téléchargez IRL2505PBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRL2505PBF - Infineon Technologies.

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