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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIPB120P04P4L03ATMA1
IPB120P04P4L03ATMA1 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IPB120P04P4L03ATMA1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IPB120P04P4L03ATMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IPB120P04P4L03ATMA1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IPB120P04P4L03ATMA1.pdf
État RoHS
En stock: 9542

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IPB120P04P4L03ATMA1
Infineon Technologies - IPB120P04P4L03ATMA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IPB120P04P4L03ATMA1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 340µA  
Vgs (Max) ±16V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO263-3  
Séries OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.1mOhm @ 100A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 136W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 15000 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 234 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 40 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 120A (Tc)  
Numéro de produit de base IPB120  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IPB120P04P4L03ATMA1

Attributs du produit IPB120P04P4L03ATMA1 IPB120P04P4L03ATMA2 IPB120N10S405ATMA1 IPB120P04P4L-03ATMA1
Modèle de produit IPB120P04P4L03ATMA1 IPB120P04P4L03ATMA2 IPB120N10S405ATMA1 IPB120P04P4L-03ATMA1
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Dissipation de puissance (max) 136W (Tc) 136W (Tc) 190W (Tc) -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 15000 pF @ 25 V 15000 pF @ 25 V 6540 pF @ 25 V -
Séries OptiMOS™ OptiMOS®-P2 Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Numéro de produit de base IPB120 IPB120 IPB120 -
Vgs (Max) ±16V +5V, -16V ±20V -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 234 nC @ 10 V 234 nC @ 10 V 91 nC @ 10 V -
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 120A (Tc) 120A (Tc) 120A (Tc) -
Package composant fournisseur PG-TO263-3 PG-TO263-3-2 PG-TO263-3 -
Tension drain-source (Vdss) 40 V 40 V 100 V -
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 340µA 2.2V @ 340µA 3.5V @ 120µA -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.1mOhm @ 100A, 10V 3.4mOhm @ 100A, 10V 5mOhm @ 100A, 10V -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V -
type de FET P-Channel P-Channel N-Channel -
Fonction FET - - - -

Fiche technique IPB120P04P4L03ATMA1 PDF

Téléchargez IPB120P04P4L03ATMA1 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IPB120P04P4L03ATMA1 - Infineon Technologies.

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