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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxNTLLD4901NFTWG
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NTLLD4901NFTWG - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NTLLD4901NFTWG
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NTLLD4901NFTWG
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/6.3A 8WDFN
Description détaillée
Emballage
8-WDFN Exposed Pad
Fiche technique
NTLLD4901NF.pdf
État RoHS
En stock: 5120

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NTLLD4901NFTWG
onsemi - NTLLD4901NFTWG Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NTLLD4901NFTWG

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-WDFN (3x3)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17.4mOhm @ 9A, 10V  
Puissance - Max 800mW, 810mW  
Package / Boîte 8-WDFN Exposed Pad  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 605pF @ 15V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 30V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.5A, 6.3A  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base NTLLD4901  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NTLLD4901NFTWG

Attributs du produit NTLLD4901NFTWG NTLTD7900ZR2G NTLUD3A50PZTAG NTLUD3A260PZTAG
Modèle de produit NTLLD4901NFTWG NTLTD7900ZR2G NTLUD3A50PZTAG NTLUD3A260PZTAG
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Tension drain-source (Vdss) 30V 20V 20V 20V
Séries - - - -
Package / Boîte 8-WDFN Exposed Pad 8-VDFN Exposed Pad 6-UDFN Exposed Pad 6-UFDFN Exposed Pad
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Puissance - Max 800mW, 810mW 1.5W 500mW 500mW
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Package composant fournisseur 8-WDFN (3x3) 8-DFN (3x3), (MICRO8 LEADLESS) 6-UDFN (2x2) 6-UDFN (1.6x1.6)
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Numéro de produit de base NTLLD4901 NTLTD79 NTLUD3 NTLUD3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.5A, 6.3A 6A 2.8A 1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17.4mOhm @ 9A, 10V 26mOhm @ 6.5A, 4.5V 50mOhm @ 4A, 4.5V 200mOhm @ 2A, 4.5V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V 18nC @ 4.5V 10.4nC @ 4.5V 4.2nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 605pF @ 15V 15pF @ 16V 920pF @ 15V 300pF @ 10V

Fiche technique NTLLD4901NFTWG PDF

Téléchargez NTLLD4901NFTWG PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NTLLD4901NFTWG - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Emballage PCN
Covering Tape/Material Chg 20/May/2016.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 01/Oct/2021.pdf
Feuilles de données
NTLLD4901NF.pdf
Conception / spécification PCN
Copper Wire Conversion 24/Feb/2015.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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