Spécifications techniques NILMS4501NR2G
onsemi - NILMS4501NR2G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NILMS4501NR2G

Attributs du produit	Valeur des attributs
Fabricant	onsemi
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Vgs (Max)	±10V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur	4-PLLP (6.2x5.2)
Séries	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13mOhm @ 6A, 10V
Dissipation de puissance (max)	1.4W (Ta)
Package / Boîte	4-DFN
Emballer	Tape & Reel (TR)

Attributs du produit	Valeur des attributs
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1500 pF @ 6 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	25 nC @ 10 V
type de FET	N-Channel
Fonction FET	Current Sensing
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	24 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	9.5A (Ta)
Numéro de produit de base	NILMS45

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NILMS4501NR2G

Attributs du produit
Modèle de produit	NILMS4501NR2G	AUIRF1010Z	FDN5632N-F085	AO4405
Fabricant	onsemi	International Rectifier	onsemi	UMW
Fonction FET	Current Sensing	-	-	-
Numéro de produit de base	NILMS45	-	FDN5632	-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1500 pF @ 6 V	2840 pF @ 25 V	475 pF @ 15 V	520 pF @ 15 V
type de FET	N-Channel	N-Channel	N-Channel	P-Channel
Dissipation de puissance (max)	1.4W (Ta)	140W (Tc)	1.1W (Ta)	3.1W (Ta)
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	25 nC @ 10 V	95 nC @ 10 V	12 nC @ 10 V	11 nC @ 10 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	9.5A (Ta)	75A (Tc)	1.7A (Ta)	6A (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Emballer	Tape & Reel (TR)	Bulk	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	-	4.5V, 10V	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA	4V @ 250µA	3V @ 250µA	2.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13mOhm @ 6A, 10V	7.5mOhm @ 75A, 10V	82mOhm @ 1.7A, 10V	45mOhm @ 6A, 10V
Vgs (Max)	±10V	-	±20V	±20V
Package composant fournisseur	4-PLLP (6.2x5.2)	TO-220AB	SOT-23-3	8-SOP
Type de montage	Surface Mount	Through Hole	Surface Mount	Surface Mount
Package / Boîte	4-DFN	TO-220-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Séries	-	HEXFET®	Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®	UMW
Tension drain-source (Vdss)	24 V	55 V	60 V	30 V

Fiche technique NILMS4501NR2G PDF

Téléchargez NILMS4501NR2G PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NILMS4501NR2G - onsemi.

Informations environnementales: onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence / EOL: Multiple Devices 14/Apr/2010.pdf
Feuilles de données: NILMS4501N.pdf

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