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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFSL3607PBF
International Rectifier
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFSL3607PBF - International Rectifier

Fabricant Modèle de produit
IRFSL3607PBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFSL3607PBF
Modèle ECAD
Description des pièces
HEXFET POWER MOSFET
Description détaillée
Emballage
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Fiche technique
IRFSL3607PBF.pdf
État RoHS
En stock: 3960

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFSL3607PBF
International Rectifier - IRFSL3607PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à International Rectifier - IRFSL3607PBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-262  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 46A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 140W (Tc)  
Package / Boîte TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3070 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 84 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 75 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 80A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de International Rectifier IRFSL3607PBF

Attributs du produit IRFSL3607PBF IRFSL4227PBF IRFSL4229PBF IRFSL3206PBF
Modèle de produit IRFSL3607PBF IRFSL4227PBF IRFSL4229PBF IRFSL3206PBF
Fabricant International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 140W (Tc) 330W (Tc) 330W (Tc) 300W (Tc)
Package / Boîte TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Tension drain-source (Vdss) 75 V 200 V 250 V 60 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 80A (Tc) 62A (Tc) 45A (Tc) 120A (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 150µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 84 nC @ 10 V 98 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V ±20V
Package composant fournisseur TO-262 TO-262 TO-262 TO-262
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3070 pF @ 50 V 4600 pF @ 25 V 4560 pF @ 25 V 6540 pF @ 50 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 46A, 10V 26mOhm @ 46A, 10V 48mOhm @ 26A, 10V 3mOhm @ 75A, 10V
Emballer Bulk Tube Tube Tube

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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