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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFBF20STRLPBF
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFBF20STRLPBF - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRFBF20STRLPBF
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRFBF20STRLPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IRFBF20S,L, SiHFBF20S,L.pdf
État RoHS
En stock: 18107

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFBF20STRLPBF
Vishay Siliconix - IRFBF20STRLPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRFBF20STRLPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8Ohm @ 1A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.1W (Ta), 54W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 490 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 900 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.7A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFBF20  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRFBF20STRLPBF

Attributs du produit IRFBF20STRLPBF IRFBF30S IRFBF20SPBF IRFBG30PBF
Modèle de produit IRFBF20STRLPBF IRFBF30S IRFBF20SPBF IRFBG30PBF
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
Dissipation de puissance (max) 3.1W (Ta), 54W (Tc) 125W (Tc) 3.1W (Ta), 54W (Tc) 125W (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 490 pF @ 25 V 1200 pF @ 25 V 490 pF @ 25 V 980 pF @ 25 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Séries - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.7A (Tc) 3.6A (Tc) 1.7A (Tc) 3.1A (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 900 V 900 V 900 V 1000 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tube Tube
Numéro de produit de base IRFBF20 IRFBF30 IRFBF20 IRFBG30
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V 78 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V 80 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Fonction FET - - - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) TO-220AB
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8Ohm @ 1A, 10V 3.7Ohm @ 2.2A, 10V 8Ohm @ 1A, 10V 5Ohm @ 1.9A, 10V

Fiche technique IRFBF20STRLPBF PDF

Téléchargez IRFBF20STRLPBF PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRFBF20STRLPBF - Vishay Siliconix.

Assemblage / origine PCN
Additional Assembly Site 21/Oct/2016.pdf
Feuilles de données
IRFBF20S,L, SiHFBF20S,L.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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