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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNTHS4501NT1G
NTHS4501NT1G Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NTHS4501NT1G - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NTHS4501NT1G
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NTHS4501NT1G
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET
Description détaillée
Emballage
8-SMD, Flat Lead
Fiche technique
NTHS4501N.pdf
En stock: 5060

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NTHS4501NT1G
onsemi - NTHS4501NT1G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NTHS4501NT1G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur ChipFET™  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 38mOhm @ 4.9A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 1.3W (Ta)  
Package / Boîte 8-SMD, Flat Lead  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 462 pF @ 24 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 9.1 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.9A (Ta)  
Numéro de produit de base NTHS45  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NTHS4501NT1G

Attributs du produit NTHS4501NT1G NTHS2101PT1G NTHS5443T1 NTHS4111PT1
Modèle de produit NTHS4501NT1G NTHS2101PT1G NTHS5443T1 NTHS4111PT1
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -
Package composant fournisseur ChipFET™ ChipFET™ ChipFET™ -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Dissipation de puissance (max) 1.3W (Ta) 1.3W (Ta) 1.3W (Ta) -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 462 pF @ 24 V 2400 pF @ 6.4 V - -
Vgs (Max) ±20V ±8V ±12V -
type de FET N-Channel P-Channel P-Channel -
Fonction FET - - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 9.1 nC @ 10 V 30 nC @ 4.5 V 12 nC @ 4.5 V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 38mOhm @ 4.9A, 10V 25mOhm @ 5.4A, 4.5V 65mOhm @ 3.6A, 4.5V -
Package / Boîte 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead -
Tension drain-source (Vdss) 30 V 8 V 20 V -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 1.8V, 4.5V 2.5V, 4.5V -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.9A (Ta) 5.4A (Tj) 3.6A (Ta) -
Séries - - - *
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 1.5V @ 250µA 600mV @ 250µA (Min) -
Numéro de produit de base NTHS45 NTHS21 NTHS54 -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk

Fiche technique NTHS4501NT1G PDF

Téléchargez NTHS4501NT1G PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NTHS4501NT1G - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 21/Jan/2010.pdf
Feuilles de données
NTHS4501N.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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