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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF2807ZPBF
IRF2807ZPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF2807ZPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF2807ZPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF2807ZPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
IRF2807ZPBF.pdf
État RoHS
En stock: 34440

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF2807ZPBF
Infineon Technologies - IRF2807ZPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF2807ZPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220AB  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.4mOhm @ 53A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 170W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3270 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 75 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 75A (Tc)  
Numéro de produit de base IRF2807  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF2807ZPBF

Attributs du produit IRF2807ZPBF IRF2807S IRF2807ZSPBF IRF2903ZPBF
Modèle de produit IRF2807ZPBF IRF2807S IRF2807ZSPBF IRF2903ZPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V 160 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3270 pF @ 25 V 3820 pF @ 25 V 3270 pF @ 25 V 6320 pF @ 25 V
Package composant fournisseur TO-220AB D2PAK PG-TO263-3-2 TO-220AB
Package / Boîte TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V - 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.4mOhm @ 53A, 10V 13mOhm @ 43A, 10V 9.4mOhm @ 53A, 10V 2.4mOhm @ 75A, 10V
Type de montage Through Hole Surface Mount Surface Mount Through Hole
Emballer Tube Tube Bulk Tube
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tension drain-source (Vdss) 75 V 75 V 75 V 30 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipation de puissance (max) 170W (Tc) 230W (Tc) 170W (Tc) 290W (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 150µA
Numéro de produit de base IRF2807 - - IRF2903
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 75A (Tc) 82A (Tc) 75A (Tc) 75A (Tc)

Fiche technique IRF2807ZPBF PDF

Téléchargez IRF2807ZPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF2807ZPBF - Infineon Technologies.

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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