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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleMTY100N10E
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

MTY100N10E - onsemi

Fabricant Modèle de produit
MTY100N10E
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-MTY100N10E
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 100A TO264
Description détaillée
Emballage
TO-264-3, TO-264AA
Fiche technique
MTY100N10E.pdf
En stock: 4430

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques MTY100N10E
onsemi - MTY100N10E Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - MTY100N10E

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-264  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 50A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc)  
Package / Boîte TO-264-3, TO-264AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 10640 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 378 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100A (Tc)  
Numéro de produit de base MTY10  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi MTY100N10E

Attributs du produit MTY100N10E ZVP2110ASTZ MTY25N60E AOD4130
Modèle de produit MTY100N10E ZVP2110ASTZ MTY25N60E AOD4130
Fabricant onsemi Diodes Incorporated onsemi Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Emballer Tube Tape & Box (TB) Bulk Tape & Reel (TR)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 10640 pF @ 25 V 100 pF @ 25 V - 1900 pF @ 30 V
type de FET N-Channel P-Channel - N-Channel
Package / Boîte TO-264-3, TO-264AA E-Line-3 - TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 378 nC @ 10 V - - 34 nC @ 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 3.5V @ 1mA - 2.8V @ 250µA
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V - 4.5V, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V - ±20V
Numéro de produit de base MTY10 ZVP2110 - AOD41
Package composant fournisseur TO-264 E-Line (TO-92 compatible) - TO-252 (DPAK)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 50A, 10V 8Ohm @ 375mA, 10V - 24mOhm @ 20A, 10V
Type de montage Through Hole Through Hole - Surface Mount
Tension drain-source (Vdss) 100 V 100 V - 60 V
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc) 700mW (Ta) - 2.5W (Ta), 52W (Tc)
Séries - - * -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100A (Tc) 230mA (Ta) - 6.5A (Ta), 30A (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ)

Fiche technique MTY100N10E PDF

Téléchargez MTY100N10E PDF DataSheets et Documentation onsemi pour MTY100N10E - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 30/Jun/2004.pdf
Feuilles de données
MTY100N10E.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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