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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIPD10N03LA
IPD10N03LA Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IPD10N03LA - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IPD10N03LA
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IPD10N03LA
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
IPx10N03LA G.pdf
En stock: 5350

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IPD10N03LA
Infineon Technologies - IPD10N03LA Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IPD10N03LA

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 20µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO252-3-11  
Séries OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.4mOhm @ 30A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 52W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1358 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 25 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 30A (Tc)  
Numéro de produit de base IPD10N  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IPD10N03LA

Attributs du produit IPD10N03LA IPD100N04S402ATMA1 IPD110N12N3GATMA1 IPD11DP10NM
Modèle de produit IPD10N03LA IPD100N04S402ATMA1 IPD110N12N3GATMA1 IPD11DP10NM
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Numéro de produit de base IPD10N IPD100 IPD110 -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
Tension drain-source (Vdss) 25 V 40 V 120 V -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 30A (Tc) 100A (Tc) 75A (Tc) -
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 20µA 4V @ 95µA 3V @ 83µA (Typ) -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Séries OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ -
Fonction FET - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1358 pF @ 15 V 9430 pF @ 25 V 4310 pF @ 60 V -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 10V 10V -
Package composant fournisseur PG-TO252-3-11 PG-TO252-3-313 PG-TO252-3 -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 5 V 118 nC @ 10 V 65 nC @ 10 V -
Dissipation de puissance (max) 52W (Tc) 150W (Tc) 136W (Tc) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.4mOhm @ 30A, 10V 2mOhm @ 100A, 10V 11mOhm @ 75A, 10V -

Fiche technique IPD10N03LA PDF

Téléchargez IPD10N03LA PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IPD10N03LA - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 04/Jun/2009.pdf
Feuilles de données
IPx10N03LA G.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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