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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFIZ14G
IRFIZ14G Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFIZ14G - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRFIZ14G
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRFIZ14G
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 8A TO220-3
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Fiche technique
IRFIZ14G.pdf
En stock: 4680

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFIZ14G
Vishay Siliconix - IRFIZ14G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRFIZ14G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 4.8A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 27W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 300 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFIZ14  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRFIZ14G

Attributs du produit IRFIZ14G IRFIBF30GPBF IRFIZ34E IRFIZ24NPBF
Modèle de produit IRFIZ14G IRFIBF30GPBF IRFIZ34E IRFIZ24NPBF
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Infineon Technologies Infineon Technologies
Dissipation de puissance (max) 27W (Tc) 35W (Tc) 37W (Tc) 29W (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8A (Tc) 1.9A (Tc) 21A (Tc) 14A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Numéro de produit de base IRFIZ14 IRFIBF30 - IRFIZ24
Package composant fournisseur TO-220-3 TO-220-3 PG-TO220-FP TO-220AB Full-Pak
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 10 V 78 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 4.8A, 10V 3.7Ohm @ 1.1A, 10V 42mOhm @ 11A, 10V 70mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Fonction FET - - - -
Séries - - HEXFET® HEXFET®
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 300 pF @ 25 V 1200 pF @ 25 V 700 pF @ 25 V 370 pF @ 25 V
Tension drain-source (Vdss) 60 V 900 V 60 V 55 V
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack

Fiche technique IRFIZ14G PDF

Téléchargez IRFIZ14G PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRFIZ14G - Vishay Siliconix.

Feuilles de données
IRFIZ14G.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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