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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFI620GPBF
IRFI620GPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFI620GPBF - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRFI620GPBF
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRFI620GPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 200V 4.1A TO220-3
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Fiche technique
IRFI620G.pdf
État RoHS
En stock: 53210

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFI620GPBF
Vishay Siliconix - IRFI620GPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRFI620GPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 2.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 30W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 260 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.1A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFI620  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRFI620GPBF

Attributs du produit IRFI620GPBF IRFI624G IRFI540NPBF IRFI624GPBF
Modèle de produit IRFI620GPBF IRFI624G IRFI540NPBF IRFI624GPBF
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Infineon Technologies Vishay Siliconix
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Numéro de produit de base IRFI620 IRFI624 IRFI540 IRFI624
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Séries - - HEXFET® -
Package composant fournisseur TO-220-3 TO-220-3 TO-220AB Full-Pak TO-220-3
Dissipation de puissance (max) 30W (Tc) 30W (Tc) 54W (Tc) 30W (Tc)
Fonction FET - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 2.5A, 10V 1.1Ohm @ 2A, 10V 52mOhm @ 11A, 10V 1.1Ohm @ 2A, 10V
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V 94 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 260 pF @ 25 V 260 pF @ 25 V 1400 pF @ 25 V 260 pF @ 25 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.1A (Tc) 3.4A (Tc) 20A (Tc) 3.4A (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 200 V 250 V 100 V 250 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA

Fiche technique IRFI620GPBF PDF

Téléchargez IRFI620GPBF PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRFI620GPBF - Vishay Siliconix.

Conception / spécification PCN
Advisory 20/Mar/2019.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Devices 18/Jul/2017.pdf
Feuilles de données
IRFI620G.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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IRFI620GPBF

Vishay Siliconix
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