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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFR9110TRLPBF
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFR9110TRLPBF - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRFR9110TRLPBF
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRFR9110TRLPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
IRFR,IRFU,SiHFR,SiHFU_9110.pdf
État RoHS
En stock: 44040

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFR9110TRLPBF
Vishay Siliconix - IRFR9110TRLPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRFR9110TRLPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D-Pak  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 1.9A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 25W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 200 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.7 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.1A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFR9110  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRFR9110TRLPBF

Attributs du produit IRFR9110TRLPBF IRFR9120 IRFR9110TF IRFR9110PBF
Modèle de produit IRFR9110TRLPBF IRFR9120 IRFR9110TF IRFR9110PBF
Fabricant Vishay Siliconix Harris Corporation Fairchild Semiconductor Vishay Siliconix
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Séries - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.1A (Tc) 5.6A (Tc) 3.1A (Tc) 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 1.9A, 10V 600mOhm @ 3.4A, 10V 1.2Ohm @ 1.9A, 10V 1.2Ohm @ 1.9A, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Bulk Tube
Fonction FET - - - -
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 25W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 25W (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.7 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V 8.7 nC @ 10 V 8.7 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 200 pF @ 25 V 390 pF @ 25 V 290 pF @ 25 V 200 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Numéro de produit de base IRFR9110 IRFR9120 - IRFR9110
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package composant fournisseur D-Pak D-Pak DPAK D-Pak

Fiche technique IRFR9110TRLPBF PDF

Téléchargez IRFR9110TRLPBF PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRFR9110TRLPBF - Vishay Siliconix.

Conception / spécification PCN
Reel Design Change 29/Dec/2022.pdf
Assemblage / origine PCN
SIL-069-2014-Rev-0 23/May/2014.pdf
Feuilles de données
IRFR,IRFU,SiHFR,SiHFU_9110.pdf

Mode de transport

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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
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Asie Inde 4
Japon 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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