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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRL540A
IRL540A Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRL540A - onsemi

Fabricant Modèle de produit
IRL540A
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-IRL540A
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 28A TO220-3
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
IRL540A.pdf
En stock: 5410

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRL540A
onsemi - IRL540A Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - IRL540A

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 58mOhm @ 14A, 5V  
Dissipation de puissance (max) 121W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1580 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 54 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 28A (Tc)  
Numéro de produit de base IRL54  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi IRL540A

Attributs du produit IRL540A IRL530STRRPBF IRL530NSTRLPBF IRL540
Modèle de produit IRL540A IRL530STRRPBF IRL530NSTRLPBF IRL540
Fabricant onsemi Vishay Siliconix Infineon Technologies Vishay Siliconix
Séries - - HEXFET® -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 54 nC @ 5 V 28 nC @ 5 V 34 nC @ 5 V 64 nC @ 5 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Numéro de produit de base IRL54 IRL530 IRL530 IRL540
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1580 pF @ 25 V 930 pF @ 25 V 800 pF @ 25 V 2200 pF @ 25 V
Type de montage Through Hole Surface Mount Surface Mount Through Hole
Vgs (Max) ±20V ±10V ±20V ±10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V 4V, 5V 4V, 10V 4V, 5V
Dissipation de puissance (max) 121W (Tc) 3.7W (Ta), 88W (Tc) 3.8W (Ta), 79W (Tc) 150W (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 58mOhm @ 14A, 5V 160mOhm @ 9A, 5V 100mOhm @ 9A, 10V 77mOhm @ 17A, 5V
Package / Boîte TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 28A (Tc) 15A (Tc) 17A (Tc) 28A (Tc)
Package composant fournisseur TO-220-3 D²PAK (TO-263) D2PAK TO-220AB
Fonction FET - - - -

Fiche technique IRL540A PDF

Téléchargez IRL540A PDF DataSheets et Documentation onsemi pour IRL540A - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Feuilles de données
TO220B03 Pkg Drawing.pdf IRL540A.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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IRL540A

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32D-IRL540A

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