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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRL540NSTRLPBF
IRL540NSTRLPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRL540NSTRLPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRL540NSTRLPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRL540NSTRLPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IRL540NSTRLPBF.pdf
État RoHS
En stock: 22532

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRL540NSTRLPBF
Infineon Technologies - IRL540NSTRLPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRL540NSTRLPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D2PAK  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 44mOhm @ 18A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.8W (Ta), 140W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 74 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 36A (Tc)  
Numéro de produit de base IRL540  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRL540NSTRLPBF

Attributs du produit IRL540NSTRLPBF IRL540S IRL540SPBF IRL5602S
Modèle de produit IRL540NSTRLPBF IRL540S IRL540SPBF IRL5602S
Fabricant Infineon Technologies Vishay Siliconix Vishay Siliconix Infineon Technologies
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipation de puissance (max) 3.8W (Ta), 140W (Tc) 3.7W (Ta), 150W (Tc) 3.7W (Ta), 150W (Tc) 75W (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 74 nC @ 5 V 64 nC @ 5 V 64 nC @ 5 V 44 nC @ 4.5 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±16V ±10V ±10V ±8V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tube Tube
Numéro de produit de base IRL540 IRL540 IRL540 -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 44mOhm @ 18A, 10V 77mOhm @ 17A, 5V 77mOhm @ 17A, 5V 42mOhm @ 12A, 4.5V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V 4V, 5V 4V, 5V 2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 1V @ 250µA
Séries HEXFET® - - HEXFET®
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 25 V 2200 pF @ 25 V 2200 pF @ 25 V 1460 pF @ 15 V
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 100 V 100 V 100 V 20 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 36A (Tc) 28A (Tc) 28A (Tc) 24A (Tc)
Package composant fournisseur D2PAK D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D2PAK

Fiche technique IRL540NSTRLPBF PDF

Téléchargez IRL540NSTRLPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRL540NSTRLPBF - Infineon Technologies.

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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Asie Inde 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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