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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRL540
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRL540 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRL540
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRL540
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
IRL540.pdf
En stock: 4910

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRL540
Vishay Siliconix - IRL540 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRL540

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220AB  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 77mOhm @ 17A, 5V  
Dissipation de puissance (max) 150W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 64 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 5V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 28A (Tc)  
Numéro de produit de base IRL540  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRL540

Attributs du produit IRL540 IRL540NPBF IRL530S IRL530NSTRL
Modèle de produit IRL540 IRL540NPBF IRL530S IRL530NSTRL
Fabricant Vishay Siliconix Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipation de puissance (max) 150W (Tc) 140W (Tc) 3.7W (Ta), 88W (Tc) 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Package composant fournisseur TO-220AB TO-220AB D²PAK (TO-263) D2PAK
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Tension drain-source (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V
Séries - HEXFET® - HEXFET®
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 64 nC @ 5 V 74 nC @ 5 V 28 nC @ 5 V 34 nC @ 5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 77mOhm @ 17A, 5V 44mOhm @ 18A, 10V 160mOhm @ 9A, 5V 100mOhm @ 9A, 10V
Vgs (Max) ±10V ±16V ±10V ±20V
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 28A (Tc) 36A (Tc) 15A (Tc) 17A (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 25 V 1800 pF @ 25 V 930 pF @ 25 V 800 pF @ 25 V
Type de montage Through Hole Through Hole Surface Mount Surface Mount
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 5V 4V, 10V 4V, 5V 4V, 10V
Emballer Tube Tube Tube Tape & Reel (TR)
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base IRL540 IRL540 IRL530 -

Fiche technique IRL540 PDF

Téléchargez IRL540 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRL540 - Vishay Siliconix.

PCN Obsolescence / EOL
SIL-018-2015-Rev-0 20/May/2015.pdf
Autres documents connexes
Packaging Information.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
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Brésil 7
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Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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