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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRL530STRRPBF
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRL530STRRPBF - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRL530STRRPBF
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRL530STRRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 15A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IRL530S,SiHL530S.pdf
État RoHS
En stock: 40875

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRL530STRRPBF
Vishay Siliconix - IRL530STRRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRL530STRRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 9A, 5V  
Dissipation de puissance (max) 3.7W (Ta), 88W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 930 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 5V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 15A (Tc)  
Numéro de produit de base IRL530  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRL530STRRPBF

Attributs du produit IRL530STRRPBF IRL530PBF IRL530NSPBF IRL540A
Modèle de produit IRL530STRRPBF IRL530PBF IRL530NSPBF IRL540A
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix International Rectifier onsemi
Dissipation de puissance (max) 3.7W (Ta), 88W (Tc) 88W (Tc) 3.8W (Ta), 79W (Tc) 121W (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 5V 4V, 5V 4V, 10V 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 9A, 5V 160mOhm @ 9A, 5V 100mOhm @ 9A, 10V 58mOhm @ 14A, 5V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 15A (Tc) 15A (Tc) 17A (Tc) 28A (Tc)
Vgs (Max) ±10V ±10V ±20V ±20V
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263) TO-220AB D2PAK TO-220-3
Type de montage Surface Mount Through Hole Surface Mount Through Hole
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 930 pF @ 25 V 930 pF @ 25 V 800 pF @ 25 V 1580 pF @ 25 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Bulk Tube
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Séries - - HEXFET® -
Numéro de produit de base IRL530 IRL530 - IRL54
Tension drain-source (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET - - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 5 V 28 nC @ 5 V 34 nC @ 5 V 54 nC @ 5 V

Fiche technique IRL530STRRPBF PDF

Téléchargez IRL530STRRPBF PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRL530STRRPBF - Vishay Siliconix.

Assemblage / origine PCN
Additional Assembly Site 21/Oct/2016.pdf
Feuilles de données
IRL530S,SiHL530S.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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