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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRL530PBF
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRL530PBF - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRL530PBF
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRL530PBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 15A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
IRL530, SiHL530.pdf
État RoHS
En stock: 63650

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRL530PBF
Vishay Siliconix - IRL530PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRL530PBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220AB  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 9A, 5V  
Dissipation de puissance (max) 88W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 930 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 5V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 15A (Tc)  
Numéro de produit de base IRL530  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRL530PBF

Attributs du produit IRL530PBF IRL530NSTRLPBF IRL540 IRL530STRRPBF
Modèle de produit IRL530PBF IRL530NSTRLPBF IRL540 IRL530STRRPBF
Fabricant Vishay Siliconix Infineon Technologies Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 5V 4V, 10V 4V, 5V 4V, 5V
Type de montage Through Hole Surface Mount Through Hole Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 9A, 5V 100mOhm @ 9A, 10V 77mOhm @ 17A, 5V 160mOhm @ 9A, 5V
Vgs (Max) ±10V ±20V ±10V ±10V
Package composant fournisseur TO-220AB D2PAK TO-220AB D²PAK (TO-263)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 930 pF @ 25 V 800 pF @ 25 V 2200 pF @ 25 V 930 pF @ 25 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 15A (Tc) 17A (Tc) 28A (Tc) 15A (Tc)
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Séries - HEXFET® - -
Numéro de produit de base IRL530 IRL530 IRL540 IRL530
Fonction FET - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipation de puissance (max) 88W (Tc) 3.8W (Ta), 79W (Tc) 150W (Tc) 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 5 V 34 nC @ 5 V 64 nC @ 5 V 28 nC @ 5 V
Package / Boîte TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tension drain-source (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V

Fiche technique IRL530PBF PDF

Téléchargez IRL530PBF PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRL530PBF - Vishay Siliconix.

Autres documents connexes
Packaging Information.pdf
Conception / spécification PCN
Mult Dev Material Chg 30/Aug/2019.pdf
Feuilles de données
IRL530, SiHL530.pdf

Mode de transport

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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