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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFCP11N60
FCP11N60 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FCP11N60 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FCP11N60
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FCP11N60
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
FCP11N60, FCPF11N60.pdf
État RoHS
En stock: 18686

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FCP11N60
onsemi - FCP11N60 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FCP11N60

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries SuperFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380mOhm @ 5.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 125W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1490 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 52 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11A (Tc)  
Numéro de produit de base FCP11  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FCP11N60

Attributs du produit FCP11N60 FCP11N60N FCP11N60N FCP104N60F
Modèle de produit FCP11N60 FCP11N60N FCP11N60N FCP104N60F
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Package composant fournisseur TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 600 V 600 V 600 V 600 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Séries SuperFET™ SupreMOS™ SupreMOS™ HiPerFET™, Polar™
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Dissipation de puissance (max) 125W (Tc) 94W (Tc) 94W (Tc) 357W (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1490 pF @ 25 V 1505 pF @ 100 V 1505 pF @ 100 V 6130 pF @ 25 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11A (Tc) 10.8A (Tc) 10.8A (Tc) 37A (Tc)
Numéro de produit de base FCP11 - FCP11 FCP104
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Emballer Tube Bulk Tube Tube
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 52 nC @ 10 V 35.6 nC @ 10 V 35.6 nC @ 10 V 145 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380mOhm @ 5.5A, 10V 299mOhm @ 5.4A, 10V 299mOhm @ 5.4A, 10V 104mOhm @ 18.5A, 10V

Fiche technique FCP11N60 PDF

Téléchargez FCP11N60 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FCP11N60 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
Feuilles de données
TO220B03 Pkg Drawing.pdf FCP11N60, FCPF11N60.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Asembly Chg 7/May/2020.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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